报告聚焦 AI 算力需求爆发背景下 HBM（高带宽存储器）的行业发展趋势，指出 HBM 已从配套存储升级为决定算力上限的核心环节，成为 AI 训练与推理的核心存储底座，2026 年行业将迎来业绩与产能的双重释放，同时国产产业链加速补位，国产化替代逻辑持续强化。
报告显示，HBM 需求高景气下，2026 年其在先进制程投片占比将达 35%，HBM4 完成代际升级，位宽提至 2048bit、单栈带宽超 2TB/s，单价较 HBM3E 提升 50% 以上，叠加头部厂商超 20% DRAM 产线转向 HBM 生产，2026 年产能较 2023 年数倍增长。当前 HBM 行业呈现高度集中格局，2025Q2 三星、SK 海力士、美光占据全球 94% DRAM 市场，其中 SK 海力士在 HBM 领域出货占比 62%，三大厂商主导 HBM 量产，良率约 50%-60%、生产周期长达两季，2025-2026 年高端产能持续紧平衡，推动价格中枢维持高位，成为存储行业上行关键变量。
全球龙头加速 HBM4 布局，SK 海力士率先完成 HBM4 开发并出货，单栈带宽达 2TB/s 以上；美光 2026 年量产 HBM4 并研发 HBM4E，引入定制化逻辑芯片；三星 HBM3E 获 NVIDIA 认证，计划 2026 年量产 HBM4，龙头凭借技术与产能优势强化议价能力。
展开剩余81%国产 HBM 产业链在设备、封测环节实现关键突破，国产化替代提速。中微公司刻蚀与薄膜设备切入先进制程，支撑 HBM 相关 DRAM 制造；华天科技、通富微电、长电科技 HBM 封装良率超 98%，其中长电科技获 HBM3E 封测订单，通富微电绑定 AMD 供应 HBM3 封装；江波龙布局集成封装与企业级 SSD，提升系统集成效率。长鑫存储、武汉新芯等在 HBM2 环节稳步推进，封测、材料环节国产厂商加速切入供应链。
报告给出配置建议，重点关注存储设备、封装技术、高端 HBM 封测等方向，推荐中微公司、江波龙、华天科技、通富微电、长电科技。同时提示四大风险，包括 HBM 需求与 AI 算力投资不及预期、技术迭代与良率爬坡受阻、行业竞争加剧导致价格波动、国际贸易政策与产业链安全的不确定性，或对行业发展与国产化推进形成扰动。
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